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高纯镉

高纯镉

四，镉（Cd） Cadmium 核心技术：电解――真空蒸馏――直拉单晶 1，物理性质：原子量：112.41 熔点：320.9 °C 沸点：765 ...

硒铟铜CIS薄膜太阳能电池的核心材料

硒铟铜CIS薄膜太阳能电池的核心材料

硒铟铜CIS薄膜太阳能电池的材料应用： 1.单质共蒸，在氮气或惰性气体保护下。调节衬底温度，最后硒化。材料：高纯铜5N。高纯硒5N，高纯铟5N. 2磁控溅射：硒铟铜靶 ...

硒镓铟铜CIGS薄膜太阳能电池核心材料

硒镓铟铜CIGS薄膜太阳能电池核心材料

硒镓铟铜CIGS薄膜太阳能电池核心材料 1.单质共蒸：高纯硒5N(无氧），高纯铟5N,高纯镓5N，高纯铜5N。调节衬底的温度。可提供-200目的粉末。粒径客户可自选。 2.化合物 ...

高纯铅

高纯铅

八，铅（Pb） Leads 核心技术：电解――中频――真空蒸馏――直拉单晶 1，物理性质：原子量：207.2 熔点：327.5 °C 沸点：1751 °C 电负性：1.8 密度：11.341 g/cm3 ...

高纯铋

高纯铋

二，铋（Bi） Bismuth 核心技术：铋电解（真空蒸馏）――真空区熔 1，物理性质：原子量：208.98037 电负性：1.9 密度：9.808 g/cm3 熔点：271.4 °C 沸点：1564 ...

高纯硒

高纯硒

十二，硒（Se） Selenium 核心技术：电解――分段精馏――重精馏 1，物理性质：原子量：78.96 电负性：2.48 熔点：217 °C 沸点：684.9 °C 密度：4.82 g/cm3 ...

高纯碲4N-7N

高纯碲4N-7N

一，碲（Te） Tellurium 核心技术：焙烧――电沉积――�型――氢化――真空蒸馏――区熔 1，物理性质：原子量：127.60 电负性：2.01 密度：6.25 g/cm3 熔点：452 ...

高纯硫化镉CDS

高纯硫化镉CDS

二十：多晶硫化镉（CdS）核心技术：化学气相沉积（PVD） 1，物理性质：原子量：144.477 柠檬黄色熔点：753°C（10MPa压力） °C氮气中升华禁带宽度：2.5 ...

碲化锌（ZnTe）

碲化锌（ZnTe）

多晶碲化锌（ZnTe）技术;液相合成 1，物理性质：原子量：193 棕红色粉末或固体。熔点：1238°C 密度：5.5-6.3 g/cm3。 2，规格：化学纯度：高纯碲化锌：ZnTe-05 ...

碲化镉CdTe薄膜太阳能电池的核心材料

碲化镉CdTe薄膜太阳能电池的核心材料

碲化镉CdTe薄膜太阳能电池的核心材料。 1.First Solar 技术：气相传输沉积（VTD) ...

红外材料：碲化锌，碲化汞，碲化镉，碲镉汞，碲镉锌，碲锡铅

红外材料：碲化锌，碲化汞，碲化镉，碲镉汞，碲镉锌，碲锡铅

红外材料：碲化锌碲化汞碲化镉碲镉汞碲镉锌碲锡铅技术：液相冷却合成――在一极限石英管中，真空度10-4 ...

碲丸 4N 用于精密铸件，或特殊钢材的添加剂

碲丸 4N 用于精密铸件，或特殊钢材的添加剂

碲丸 4N 用于精密铸件，或特殊钢材的添加剂，等。核心技术：氮气氛保护下制丸，不需要甘油或者纯水冷却规格：客户可根据工艺自定。常规：3―5MM 检验：提供 ...

高纯锑

十一，锑（Sb） Antimony 核心技术如下：锑电解――中频――真空蒸馏――直拉单晶 1，物理性质：原子量：121.760 熔点：630.7 °C 沸点：1587 °C 密度：6.697 g/cm3 ...

高纯碲化镉CDTE

十二：多晶碲化镉（CdTe）核心技术：液相冷却合成 1，物理性质：原子量：240.011 晶格常数：0.6481 黑色氧化碲结构熔点：1042°C 禁带宽度：1.5 ...

硒化铟（InSe）

多晶硒化铟（InSe）核心技术：液相合成 1，物理性质：原子量：193.508 变形的NaCl结构，黑色，暗淡油脂光泽，易碎。熔点：660 °C 密度：5.55 ...

氧化锌（ZnO）

氧化锌（ZnO）核心技术：气相沉积 1，物理性质：原子量：81.57 密度：5.7 g/cm3 熔点：1975°C 1720°C升华 2，规格：化学纯度：高纯氧化锌：ZnO-05 ...

二氧化碲（TeO2）

，二氧，二氧化碲（TeO2）核心技术：气相沉积 1，物理性质：原子量：159.6 密度：5.67 g/cm3 ...

　

　

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